- MOS insulated-gate field-effect transistor
- Электроника: полевой МОП-транзистор с изолированным затвором
Универсальный англо-русский словарь. Академик.ру. 2011.
MOS insulated-gate field-effect transistor
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Field-effect transistor — FET redirects here. For other uses, see FET (disambiguation). High power N channel field effect transistor The field effect transistor (FET) is a transistor that relies on an electric field to control the shape and hence the conductivity of a… … Wikipedia
Insulated-gate bipolar transistor — The insulated gate bipolar transistor or IGBT is a three terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. It switches electric power in many modern appliances: electric cars, variable speed refrigerators, air… … Wikipedia
Transistor — For other uses, see Transistor (disambiguation). Assorted discrete transistors. Packages in order from top to bottom: TO 3, TO 126, TO 92, SOT 23 A transistor is a semiconductor device used to amplify and switch electronic signals and power. It… … Wikipedia
Transistor de efecto campo — P channel N channel Símbolos esquemáticos para los JFETs canal n y canal p. G=Puerta(Gate), D=Drenador(Drain) y S=Fuente(Source). El transistor de efecto campo (Field Effect Transistor o FET, en inglés) es en realidad una familia de transistores… … Wikipedia Español
Transistor — Quelques modèles de transistors. Le transistor est un composant électronique actif utilisé : Comme interrupteur dans les circuits logiques ; Comme amplificateur de signal ; Pour stabiliser une tension, moduler un signal ainsi que… … Wikipédia en Français
MOSFET — Two power MOSFETs in the surface mount package D2PAK. Operating as switches, each of these components can sustain a blocking voltage of 120 volts in the OFF state, and can conduct a continuous current of 30 amperes in the ON state, dissipating up … Wikipedia
Feldeffekttransistor — Feldeffekttransistoren oder FET (engl. field effect transistor) sind eine Gruppe von unipolaren Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am Stromtransport beteiligt ist – abhängig von der Bauart… … Deutsch Wikipedia
Drain — Feldeffekttransistoren oder FET (engl. field effect transistor) sind eine Gruppe von unipolaren Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am Stromtransport beteiligt ist – abhängig von der Bauart… … Deutsch Wikipedia
Feldeffekttransistoren — oder FET (engl. field effect transistor) sind eine Gruppe von unipolaren Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am Stromtransport beteiligt ist – abhängig von der Bauart Elektronen oder Löcher bzw.… … Deutsch Wikipedia
Federico Faggin — (né le 1er décembre 1941 à Vicence, en Vénétie) est un physicien et inventeur italien, spécialisé en physique du solide. Pionnier de l informatique et de la technologie des semi conducteurs, il est l un des pères du microprocesseur, et… … Wikipédia en Français
Microprocessor — Intel 4004, the first general purpose, commercial microprocessor A microprocessor incorporates the functions of a computer s central processing unit (CPU) on a single integrated circuit,[1] (IC) or at most a few integrated circuits … Wikipedia
